有机金属化学汽相淀积;
Recent advances in heteroepitaxial growth of high quality GaN films by MOCVD and HVPE is reviewed.
介绍了采用MOCVD或HVPE技术高质量异质外延生长GaN薄膜的发展状况.
互联网The membrane formed inside the porous of support by MOCVD process is resistant to hydrogen embrittlement.
由金属有机气相沈积法(MOCVD)在载体孔内沈积钯膜有助于防止氢的脆化作用.
互联网Metal Organic Chemical Vapor Deposition ( MOCVD ) is a key technology in growing thin - films.
金属有机化学气相沉积 ( OCVD ) 一门制备薄膜材料的关键技术.
互联网A brief introduction to CBE comparing with MBE and MOCVD is presented in this paper.
本文主要通过与MBE和MOCVD的对比,对CBE作了简单的介绍.
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